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第331章 流片成功！（第3页）

有的区域深了，有的区域浅了。

像一块没发好的面，有些地方鼓着，有些地方瘪着。

直接后果：芯片漏电。

测试探针扎下去，电流一路跑偏，根本锁不住。

苏佩兰试了七组参数，全部失败。

“机器太老了。”

她摘下防尘面罩，额头上全是汗。

“束流不稳，真空也拉不到位。”

车间里的气氛沉下去了。

光刻过了，刻蚀过了，偏偏倒在了最基础的掺杂上。

林希站在注入机旁边，手扶着冰凉的金属外壳。

他闭上眼睛。

脑海中，直播间的弹幕已经开始翻涌。

【离子注入！关键参数来了！！！】

【我查了771所这批机器的资料——核心问题是束流电流太低导致注入时间过长，硅片在真空腔里受热不均匀！】

【解法很简单但很反直觉——把束流电流提上去！10mA！加速电压拉到50keV！让注入时间缩短，减少热积累！】

【最关键的一步：真空度！必须拉到10的负5次方帕斯卡！不然残余气体会和离子束发生散射，杂质分布肯定不均匀！】

【对！这台老机器的分子泵其实能达到这个真空度，但出厂预设太保守了，得手动调旁通阀把抽速拉满！】

林希睁开眼。

“苏师傅。”

苏佩兰回头。

“束流电流调到10毫安。”

“加速电压拉到50千电子伏特。”

苏佩兰愣了一下。

“电流10毫安？”

“这台机器设计上限才8……”

“旁通阀全开，把真空度拉到10的负5次方帕。”

林希的声音很稳，

“抽速够了以后，束流不会散。”

苏佩兰看了看旁边的王铁山。

王铁山沉默了几秒，走到机器后面。