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第3643章 夏黎：哈哈！笑不是因为开心，是真没招了（第2页）

现在为什么成本降不下来？

核心原因是从模拟技术到数字技术的代差。

之前没考虑成本这一茬，她上来设想的就是以现有的技术组合，组织上要是直接愿意出钱，到处买各种组件，组到一块立刻就能用。

方便还现成，根本就不用费心，就是价格比较昂贵。

现在要降低成本，就不得不考虑“现代技术+基础功能”，这种得费脑子且不伦不类的方式了。

最开始她计算的是采用真空管或早期晶体管，高性能模拟器件，功耗大。成本大约在1500到7500元之间。

这玩意确实太贵了。

夏黎想了想，在原本的稿纸上涂涂改改，采用CMOS图像传感器技术，也就是后世的互补金属氧化物半导体技术，将感光、数模转换等全部集成在单颗芯片上，取代笨重的摄像管和复杂电路，不但比之前的技术好，还比之前的技术便宜。

用这种技术可以直接把成本降到40块钱。

从1500元到7500元，直降到40元的成本，这绝对是质的飞跃。

不过，以现在华夏的技术，想要造出来这东西，可能倒是有那么一丁点的可能，但是硬件的设备还有些问题。

首先就是华夏没有超净间。CMOS对灰尘的容忍度比双极性更苛刻。一颗尘粒落在栅氧生长区，就等于一个针孔漏电，等于芯片废掉。

这意味着哪怕流程设计对了，良品率也是灾难级的。

不是“做不出”，是“做一百颗坏九十九颗”。

成本简直高到飞起。

第二是芯片欠缺问题。

目前国内倒是有光刻机，不过就那么一台可以用的光刻机，不可能拿来给他们用来做好几十万个芯片，人家华科医院那边的科研人员还得干别的呢。

而且就冲他们那宝贝光刻机的模样，肯定怕他们把东西用坏，不肯让他们做几十万个芯片。

第三是硅材料的纯度不够，CMOS栅氧厚度只有几百埃，任何微量金属污染就等于漏电流暴走。

国产直拉CZ硅当前纯度勉强够双极性NMOS实验，用于高质量CMOS需要的超低氧、超低金属杂质、无位错单晶，根本拉不出合格的大直径单晶棒。

第四点是：CMOS需要精确控制p-Well掺杂剖面。理想做法是用离子注入机，能量和剂量可控。

华夏有少量仿制和进口的离子注入机，但有巴统协议在，想也知道，外国人给华夏的都是落后的产品。

束流均匀性、剂量精度、晶圆级自动化远不够量产。

靠传统热扩散凑合的话，横向扩散不可控，直接导致沟道长度一致性崩掉，最终致使Vt分布宽得像撒胡椒面。